ASUS Rampage IV Extreme – UEFI Guide for Overclocking
http://rog.asus.com/forum/showthread.php?5835-ASUS-Rampage-IV-Extreme-UEFI-Guide-for-Overclocking
とりあえず読んでみたけど、項目多い・英語わからん・長い・疲れた・知識が足りない、よってよくわからない！
自分用のメモとして日本語にしてみたのを書いておく！ていうか日本語じゃないと説明があっても設定いじる気がしない！
●Ai Overclock Tuner
[Auto/Manual/X.M.P.](Auto)
ベースクロック(BCLK)を上げようと思ったらManualにしないといけない。
X.M.Pについては、メモリがX.M.P(Extreme memory profile)に対応してたら選べる。
但し、Sandybridgeより前に発売されたOCメモリの場合は、システムを安定させるために必要な電圧オフセットの設定が含まれていないかもしれず、その時はメモリのタイミングを手動で設定する必要がある。
●CPU Level Up
手動でオーバークロックするのが面倒な人のためのもの。システムが適当に動く設定でオーバークロックしてくれる。
●BCLK Frequency
デフォルトは100MHz。上げることができてせいぜい107MHz。
CPU Strapの設定を125MHzにしていたら130MHzくらいまでいける。
●CPU Strap
X79チップセットのCPU Strap機能の設定。
システムバスの周波数を100MHzから125,166,250MHzへと変更することができる、が125MHzまでしか動作は期待できない。
全てのバスの周波数が変わるのでなんか大変らしい。
●Clockgen Full Reset
動作周波数を変更したらシステムリセット（再起動）するかどうか。
再起動したほうが安定するのでお勧めらしいけど、わりとリセットしなくても不安定にならないなぁという印象。
元記事ではBCLK変更時のメモリの安定性を確かめるときにDisableとする程度で、基本Enableにしておいたらいいって書いてある。
●Turbo Ratio
[Auto/By All Cores/By Per Core](Auto)
CPUのクロック逓倍率。AutoはCPU毎の初期値のままの周波数。By All Cores/By Per Coreにて、全コアで同一/使用コア数ごとに別々の逓倍率を設定できる。
NOTE:CPUの動作周波数が4.5GHzを超える場合は、モニタタブのアンサージサポートを無効にしておかないと、super IO pollingによりシステムがシャットダウンしてしまう。
●CPU Clock Gen Filter
オーバークロックする時はAutoに設定したほうがいいらしい。
メモリをDDR3-2200MHz以上にするなら10UF、DDR3-2400MHz以上にするなら20UFとすべきで、CPU Strapの166MHzを使うためには無効にすることが推奨されるそうだ。
●Memory Frequency
Autoの場合はSPDから自動設定される。それ以外は選択肢から。
細かい周波数の変更はBCLKを変更することで影響を受ける。また、CPU Strapの設定によっては倍率が動作可能な範囲にオフセットされる。
●EPU Power Saving Mode
省エネ設定。激しいオーバークロックをするときは無効にしたほうがいい。
Xtreme Tweaker > DRAM Timing Control
●Rampage Tweak
64GBのメモリを使用する場合や、DDR3-2000MHzを超える設定を行う場合はMode2。
**** MEMO ****
[Active]アクセスするバンクと行アドレスを有効にする
[Read]アクセスする列アドレスを有効にし、データを読み出す
[Write]アクセスする列アドレスを有効にし、データを書き込む
[Precharge]Activeコマンドを無効化してバンクをIdle状態にする
※RAS＝Row Address Strobe→行アドレス有効時はRAS信号がON
※CAS＝Column Address Strobe→列アドレス有効時はCAS信号がON
[Active]―tRCD―[Read]―tCL―<Reading>―[Precharge]―tRP―<Idle>
[Active]―tRCD―[Read/Write]
[Read]―tCCD―[Read]
[Read]―(tRL+tCCD+2CK-tWL)―[Write]但しBC4の時はtCCD/2
[Read]―tAL―tRTP―[Precharge]
[Write]―tCCD―[Write]
[Write]―tWL―<Writing>―tWTR―[Read]
[Write]―tWL―<Writing>―tWR―[Precharge]
[Precharge]―tRP―[Active]
クロック→実時間の変換は、(クロック*2000)/メモリの動作周波数[ナノ秒]
**************
Xtreme Tweaker > DRAM Timing Control > First Timings
●DRAM CAS# Latency【tCL】[CAS]—-(tCL)—-[Reading]
CAS(Column Address Select)信号を有効化してデータを読み出し始めるまでの遅延。
●DRAM RAS# to CAS# Delay【tRCD】[RAS]—-(tRCD)—-[CAS]
RAS(Row Address Select)を有効化した後、CAS信号を発信するまでの間隔。
●DRAM RAS# PRE Time【tRP】[Precharge]—-(tRP)—-[Active]
RAS信号の無効化完了までの最短時間。（Prechargeコマンド発信してから、新規のRAS有効化が可能となるまでの時間）
●DRAM RAS# ACT Time【tRAS】[RAS]—-(tRAS)—-[Precharge]
RAS信号が有効になっている最短時間。（RASを有効にしてから、CAS、Read/Writeが完了して、Prechargeコマンドが発信可能となるまでの時間）
tRAS≧tCL＋tRCD＋2
●DRAM COMMAND Mode
メモリーコントローラーがバンクに対し命令を送る際の遅延。たいていは1N(1T)でおｋ。安定しない場合は2N(2T)。
●Latency Boundary
NearerでOK。
Xtreme Tweaker > DRAM Timing Control > Second Timings
●DRAM RAS# to RAS# Delay【tRRD/tRC】[RAS]—-(tRC)—-[RAS]
RAS信号を有効化してから無効化完了までの最短時間。
tRC≧tRAS＋tRP
●DRAM REF Cycle Time【tRFC】
全チップのリフレッシュ間隔。チップにより基準が違う。＠1Gb=110ns、2Gb=160ns、4Gb=300ns？
●DRAM WRITE Recovery Time【tWR】[Writing]—-(tWR)—-[Precharge]
データ書き込み完了からRAS信号の無効化完了までの時間。
基本は15nsらしい？
DDR3-2500までなら9clockの設定で動くDRAMが多いが、安定性との兼ね合いをみて12～16clockで設定すべきとか。
●DRAM READ to PRE Time【tRTP】？
[Read]—-[page close request]—-(tRTP)—-[Read]
[Read]—-[page close request]—-(tRTP)—-(tRP)—-[Precharge]
基本は4～6clock＠2GBモジュール？チップにより基準が違い、容量が増えるごとに値を増やさなければならない。
●DRAM FOUR ACTIVE WINDOW Time【tFAW】
4回有効化するのにかかる時間。16clockかtRRD*4くらい。
最小はtRRD*4。tFAWの影響を受けるのは同一チップに連続で4回以上アクセスした場合だけなのでパフォーマンスへの影響は小さい。（SuperPiは影響を受ける）
●DRAM WRITE to READ Delay【tWTR】[Write]—-(tWTR)—-[Read]
基本は4～6clock＠2GBモジュール？チップにより基準が違い、容量が増えるごとに値を増やさなければならない。
●DRAM Write Latency【tCWL】[CAS]—-(tCWL)—-[Writing]
CAS(Column Address Select)信号を有効化してデータを書き込み始めるまでの遅延。
tCL-1くらいの値。
tCWL=5@tCL=6、tCWL=6@tCL=7,8、tCWL=7@tCL=9,10、tCWL=8@tCL=11
DDR3-2133MHzでの使用や、64GBでの使用時は、tCWLを1～2clock上げてやらなければいけない。
Xtreme Tweaker > DRAM Timing Control > Third Timings
（SuperPi 32M でのベンチマーク時以外はAutoで特に困らない項目たち）
●tRRDR
Read – Read の遅延＠同一モジュールの別ランク。3clockでok.
●tRRDD
Read – Read の遅延＠別モジュール。3clockでok.
●tWWDR
Write – Write の遅延＠同一モジュールの別ランク。3clockでok.
●tWWDD
Write – Write の遅延＠別モジュール。3clockでok.
●tRWDR
Read – Write の遅延＠同一モジュールの別ランク。3clockでok.8GBモジュールをDDR3-2300MHz以上で扱う場合は5～7clockに。
●tRWDD
Read – Write の遅延＠別モジュール。3clockでok.8GBモジュールをDDR3-2300MHz以上で扱う場合は5～7clockに。
●tWRDR
Write – Read の遅延＠同一モジュールの別ランク。3clockでok.高密度モジュールを扱う場合は5～7clockに。
●tWRDD
Write – Read の遅延＠別モジュール。3clockでok.高密度モジュールを扱う場合は5～6clockに。
●tRWSR
Read – Write の遅延＠同一モジュールの同一ランク。3clockでok.低速であれば1～2でもいける。他の項目同様に安定性を見て5～7clockに調整。
●tCCD(CAS# to CAS# Delay) [CAS]—-Reading/Writing(tCCD)—-[CAS]
BIOS上で 0 とするとtCCD=4（標準）となり、BIOS上で 1 とするとtCCD=5となる。
DDR3 SDRAMはtCCD＝4で固定。
●DRAM RTL（Round Trip Latency）
AUTOでいいよ。いじりたい場合はDRAM IOLと一緒にいじること。IOLより1～2clock落とせばOK。
●DRAM CLK Period
5か7にすると最もパフォーマンスが良くなるが、オーバークロックはしにくくなる。3か7ならCommandRate1Tでのオーバークロックに向く。
●Enhanced Training
最良の設定は定義できないが、R4Eでオーバークロックする場合は通常無効化されている。
●MCH Duty Sense
最良の設定は定義できないが、15～19がいいらしい。。
●Receiver Slew
AUTOでおｋ。DDR3-2133以上で安定しないならNormalに設定して。
●Transmitter Slew
AUTOでおｋ。DDR3-2133以上で安定しないならNormalに設定して。
●MCH Recheck
AUTOでおｋ。
Xtreme Tweaker > DIGI+ Power Control
●CPU Load-line Calibration
アイドル時→全力移行時の過渡電圧を補う設定。ほとんどのオーバークロックではMediumがいい。
●CPU Current Capability
過電流制限値の設定。180%でいいんじゃね。
●CPU Voltage Frequency
電源FEIに供給する電圧のスイッチング周波数。数値を高くすればレスポンスが早くなるが、発熱も大きくなる。
●VRM Over Temperature Protection
CPU VRM MOSFETの温度が閾値を超えた場合、VRMの損傷を防ぐために周波数を下げたりシステムをシャットダウンしたりする。液体窒素冷却の場合はOFF。それ以外ではONにして常に温度を監視するべし。
●CPU Power Duty Control
電源制御を温度ベース“T.Probe”で行うか、電流値ベースで行うかの設定。
●Vcore MOS volt. Control
VRMドライバの出力電圧。Autoにしてオーバークロックしてね。
マニュアルで設定したい場合は、マザーボードのFETは5VのVGSに最適化されていて、電圧のスイング？が最も良くなるには一般的に7Vに設定するといい。とかなんとか。Autoでいいだろよくわからん。 If wishing to experiment with manual settings then bear in mind that most FETs used on motherboards are generally optimised for a VGS of 5V, so a setting of 7V is generally optimal and should provide the best voltage swing.
●CPU Power Phase Control
フェーズスイッチングの状況による設定。VRMは何倍ものフェーズをつくる。パワーが要らないときは電源OFFして省電力化する。Sets the load dependant phase switching conditions; the VRM is made up of multiple phases (each phase has at least two FETs). During light-load conditions FETs can be switched off to save power.
VCoreをOffsetモードにする場合は、“Standard”と“Optimized” が適している。
4.8GHz以上にする場合は、ManualかUltra-Fastが推奨される。
●CPU Spread Spectrum
CPUのVRMクロックから出る放射ノイズを低減する。オーディオ性能が良くなるかもね。
オーバークロックには不要？
●CPU VCORE Boot Up Voltage
Autoかノーマルのままで使って。POST状態でないときにベンチマークで高電圧もしくは低電圧にする時用。
●VCCSA Load-line Calibration
アイドル時→全力移行時の過渡電圧を補う設定。ほとんどのオーバークロックではMediumがいい。
●VCCSA Current Capability
過電流制限値の設定。メモリを64GB使うときやDDR3-2133MHzで使うときは140%にしておこう。
●VCCSA Fixed Frequency
電源FEIに供給する電圧のスイッチング周波数。
数値を高くすればレスポンスが早くなるが、発熱も大きくなる。
●CPU VCCSA Boot Up Voltage
Autoかノーマルのままで使って。POST状態でないときにベンチマークで高電圧もしくは低電圧にする時用。
●CPU VTT Switching Freq
電源FEIに供給する電圧のスイッチング周波数。
数値を高くすればレスポンスが早くなるが、発熱も大きくなる。
●CPU VTT Over-Current Protection
過電流制限値の設定。CPUを4.5GHz以上にする時は数値を上げましょう。
●DRAM-AB/CD Current Capability
過電流制限値の設定。
メモリを64GB使うときやDDR3-1866MHzで使うとき、もしくは8GBモジュールを2133MHz以上で使うときは130%にしておこう。
●DRAM-AB/CD Voltage Frequency
電源FEIに供給する電圧のスイッチング周波数。
数値を高くすればレスポンスが早くなるが、発熱も大きくなる。
メモリによって高いほうがいいとは限らないのでいろいろ試して安定する値にしてね。
●DRAM-AB/CD Power Phase Control
ふつうはAutoで、64GBのメモリをオーバークロックするときはExtreme推奨。
●PCH 1.1V Switching Freq
オーバークロックするにしてもAutoで。BCLKを高くする時は適当に変更して安定する値を見つけたくなるかもしれない。
Xtreme Tweaker
●Extreme OV
VCore=1.6Vくらいのオーバークロックをする必要がないならDisableにしてていいよ。
●BCLK Skew
BCLKの歪み？このCPU（どのCPU？3960X？）では-2にするといい＠PCIe CLK Skew=-20。2単位でいじってやることで、BCLK/DRAM/全体 のオーバークロックの安定性を保ちつつ、VCoreの要求を下げることができる。The sweet spot for BCLK Skew on this CPU is -2 bundled with -20 on PCIE CLK Skew. A good match in these 2 skews can help with BCLK/DRAM/Overall OC stability and help reduce Vcore requirements at a given operating frequency.
●CPU VCORE Voltage
CPUのVCore電圧を“Manual Mode”では固定値に、“Offset Mode”用途に応じてオフセットをかけることができる。
●VTT CPU/2nd VTTCPU Voltage
CPUのオーバークロックにはあまり影響しない。
VTTCPUはDRAM/BCLKのオーバークロックへ影響を与える。
2ndVTTCPUはDRAM/BCLKのオーバークロックへ影響しない。
しかしながら、VTT – 2ndVTT <= 300mVくらいになるように設定したほうが安定する。
通常は1.35V。1.40Vでなかなかいい感じになる。
●CPU VCCSA Voltage
CPUのVCCSA電圧を“Manual Mode”では固定値に、“Offset Mode”用途に応じてオフセットをかけることができる。
VCCSA電圧はメモリの安定性にダイレクトに影響する。よって高密度実装のメモリモジュールを用いているかメモリコントローラーをオーバークロックする場合は値を高くしたほうがよい。一般的なルールとしてVCCSAはVCoreより高い電圧としなければシステムが安定しない。その理由はVcoreがIOシグナルステージの引上げに用いられること、もしくは内部直流電流のカップリングによるものである。←知識が足りないよくわからん。
もしDDR3-2000MHz以上のオーバークロックを行うのであれば、VCoreとVCCSAの電位差がメモリモジュールの動作にクリティカルに効いてくる可能性がある。そのため、安定させるためには電位差があまり大きくならないようにすることを勧める。VDIMMの電圧とVCCSAの電圧はその差が0.6V未満になるようにすべきで、さらにVCoreとの電位差は0.3Vにとどめるようにしたほうがいい。
●DRAM Voltage
DRAMの電圧。DRAMのオーバークロックに影響する。
●CPU PLL Voltage
多くのオーバークロックでは最小で1.80V程度が求められる。もしもCPUの逓倍率を大きく上げたい場合や、メモリの速度をDDR3-2200MHz程度まで上げたい場合は、少しだけ電圧を上げることで安定するかもしれない。
●PCH 1.1v Voltage
そのままにしてあげて。もしも非常に高いVCCSA/VTT電圧をかけている場合は、このラインも同じくらいの電位差になるようにするといいかもしれないが。
●VTTDDR Voltage
安定している限りはAutoでいい。もしも安定しないならDRAM電圧の半分の値からはじめる感じでいじってみてくれ。
●CPU / PCIE Spread Spectrum
オーバークロックの際、クロックモジュレーションによりシステムが不安定になる場合は無効にしてください。
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